晶圓尺寸二維半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)的合成與光電器件構(gòu)筑

采用MOCVD 連續(xù)式生長方式制備晶圓尺寸的TMDC 范德華異質(zhì)結(jié)。選擇MoS2 和 WSe2 為例,，首先分別生長這兩種材料的低成核密度,、高結(jié)晶質(zhì)量單層薄膜，并在其中一種薄膜表面直接生長范德華異質(zhì)結(jié),，揭示成核與生長動力學(xué)機制,，建立關(guān)鍵制備技術(shù)；并在此基礎(chǔ)上設(shè)計具有優(yōu)異性能的范德華異質(zhì)結(jié)光電器件,。組成的扭卷式執(zhí)行器可作為未來人工肌肉等可穿戴器件,。

本項目獲批省杰出青年科學(xué)基金項目；

項目相關(guān)技術(shù)成果分別在Science和Nature Nanotechnology期刊各發(fā)表一篇論文,，申請發(fā)明專利9項,。