晶圓尺寸二維半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)的合成與光電器件構(gòu)筑

采用MOCVD 連續(xù)式生長方式制備晶圓尺寸的TMDC 范德華異質(zhì)結(jié)。選擇MoS2 和 WSe2 為例，首先分別生長這兩種材料的低成核密度、高結(jié)晶質(zhì)量單層薄膜，并在其中一種薄膜表面直接生長范德華異質(zhì)結(jié)，揭示成核與生長動(dòng)力學(xué)機(jī)制，建立關(guān)鍵制備技術(shù)；并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)具有優(yōu)異性能的范德華異質(zhì)結(jié)光電器件。組成的扭卷式執(zhí)行器可作為未來人工肌肉等可穿戴器件。

本項(xiàng)目獲批省杰出青年科學(xué)基金項(xiàng)目；

項(xiàng)目相關(guān)技術(shù)成果分別在Science和Nature Nanotechnology期刊各發(fā)表一篇論文，申請(qǐng)發(fā)明專利9項(xiàng)。