半導體材料

1、郝玉峰：

  中組部“青年千人計劃”專家，江蘇省雙創(chuàng)人才，美國物理學會（APS）和美國材料研究學會（MRS）會員。先后在新加坡國立大學、美國得克薩斯大學奧斯丁分校及美國哥倫比亞大學從事研究工作。主要研究方向為高質(zhì)量石墨烯等二維材料的化學氣相沉積、器件微納加工及其光、電性質(zhì)研究等。在石墨烯等二維材料的生長與低溫電輸運領域取得了一系列世界一流的研究成果。發(fā)表文章近70篇，第一作者論文被引用超過1200 次，申請美國及中國發(fā)明專利4 項；曾獲2015年度安徽省自然科學一等獎（排名第二）。主持國家自然科學基金面上項目一項。

2、朱嘉：

  國家杰出青年，南京大學物理學學士，在美國斯坦福大學（Stanford University）電子工程系獲碩士及博士學位，隨后在加州大學伯克利分校（University of California, Berkeley）和勞倫斯伯克利國家實驗室（Lawrence Berkeley National Laboratory）從事新能源和環(huán)境領域的博士后研究工作。現(xiàn)為南京大學現(xiàn)代工程與應用科學學院教授，研究方向為納米材料合成和表征、納米光子學、納米熱傳輸能源轉(zhuǎn)化與存儲 （光伏、熱電以及鋰電池）。

3、黎松林：

  中組部“青年千人計劃”專家，近幾年主要開展二維材料電子與信息器件的研究。在國際上首次實現(xiàn)具備電壓增益和輸入輸出匹配的石墨烯電壓反相器[Nano Lett.10 (2010) 2357]，被歐盟石墨烯“旗艦計劃”的發(fā)展路線圖中高度評價；發(fā)展了針對二維原子晶體溝道晶體管的普適物理散射模型，厘清二維原子晶體半導體溝道遷移率厚度依賴性[Nano Lett.13 (2013) 3546，ESI高引論文]；受邀撰寫二維原子晶體電荷輸運和遷移率優(yōu)化主題的綜述文章[Chem.Soc.Rev.45 (2016) 118，ESI高引論文]。主持國家自然科學基金面上項目1項，參與國家重點研發(fā)計劃1項。發(fā)表論文60余篇，SCI引用1700余次，H因子22。

4、余林蔚：

  國家“青年千人計劃”專家，南京大學教授。2001年在南京大學獲得物理學學士學位，2007在南京大學獲得固體電子與微電子學博士學位。2007.11-2009.10赴法國巴黎綜合理工“界面與薄膜物理實驗室 LPICM”進行博士后研究工作。2009.10-2012.12入職法國國家科學研究院(CNRS) 終身職位研究員（CR2）/助理教授。2013.1通過中組部“青年千人計劃”入職南京大學電子科學與工程學院。主要研究方向為氣相淀積系統(tǒng)中半導體納米點、線結(jié)構(gòu)的制備機理和生長控制；半導體納米結(jié)構(gòu)中的輸運和光電特性，及其在薄膜電子、存儲器件和傳感器件中的應用；新一代硅基納米結(jié)構(gòu)高性能薄膜太陽能電池。

5、萬建國：

  南京大學物理學院教授，博士生導師，物理國家級實驗教學示范中心主任，教育部新世紀優(yōu)秀人才計劃入選者，江蘇省物理學會副理事長。先后主持承擔包括國家自然科學基金重點及面上項目、江蘇省攀登學者計劃項目、青年科技創(chuàng)新人才項目等十多項科研項目，并作為研究骨干參加科技部重大納米專項、國家973計劃等科研任務。目前主要從事磁電耦合功能材料、原子團簇組裝納米材料、石墨烯二維材料等新型功能材料及相關器件的研發(fā)工作。迄今為止，已獲得10項國家發(fā)明專利授權(quán)，在國際學術刊物上發(fā)表SCI論文140余篇，引用近2000次。